Справочник MOSFET. MCG04N10A

 

MCG04N10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MCG04N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: DFN3030-8
 

 Аналог (замена) для MCG04N10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCG04N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:405K  mcc
 mcg04n10a.pdf pdf_icon

MCG04N10A

MCG04N10AFeatures Ultra Low On-Resistance Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1N-CHANNEL Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information) MOSFETMaximum Ratings Operating Junction Temperature Range : -55C to +150C

Другие MOSFET... MCAC30N06Y , MCAC40N10YA , MCAC50N06Y , MCAC50N10Y , MCAC60N08Y , MCAC75N02 , MCAC80N045Y , MCB160N10Y , IRF540N , MCG10P03 , MCG16N15 , MCG20N08 , MCG30N03 , MCG30N03A , MCG40N03 , MCG50N03 , MCMN2012 .

History: RP1E050RPTR | 2SJ461A

 

 
Back to Top

 


 
.