Справочник MOSFET. MCP20N70

 

MCP20N70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MCP20N70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для MCP20N70

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCP20N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:952K  mcc
 mcp20n70.pdf pdf_icon

MCP20N70

MCP20N70Features Halogen Free. Green Device (Note 1) Very Low FOM RDS(on)QgN-Channel Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1Enhancement Mode Field Effect TransistorMaximum Ratings Operating Junction Temperature Range: -55C to +150CTO-220AB(H) Storage Temperature Range: -55C to +150C Thermal Resistance:

Другие MOSFET... MCG16N15 , MCG20N08 , MCG30N03 , MCG30N03A , MCG40N03 , MCG50N03 , MCMN2012 , MCP07N65 , IRF3710 , MCPF07N65 , MCQ03N06 , MCQ15N10B , MCQ15N10Y , MCQ4407 , MCQ4407B , MCQ4503A , MCQ4559 .

History: STQ1NK60ZR-AP | STW265N6F6AG

 

 
Back to Top

 


 
.