MCP20N70 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MCP20N70
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для MCP20N70
MCP20N70 Datasheet (PDF)
mcp20n70.pdf

MCP20N70Features Halogen Free. Green Device (Note 1) Very Low FOM RDS(on)QgN-Channel Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1Enhancement Mode Field Effect TransistorMaximum Ratings Operating Junction Temperature Range: -55C to +150CTO-220AB(H) Storage Temperature Range: -55C to +150C Thermal Resistance:
Другие MOSFET... MCG16N15 , MCG20N08 , MCG30N03 , MCG30N03A , MCG40N03 , MCG50N03 , MCMN2012 , MCP07N65 , IRFB4227 , MCPF07N65 , MCQ03N06 , MCQ15N10B , MCQ15N10Y , MCQ4407 , MCQ4407B , MCQ4503A , MCQ4559 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent