Справочник MOSFET. MCU09N20

 

MCU09N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MCU09N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для MCU09N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCU09N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:901K  mcc
 mcu09n20.pdf pdf_icon

MCU09N20

MCU09N20Features Fast Switching Improved dv/dt Capability Excellent Package for Good Heat Dissipation Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating N-CHANNEL Moisture Sensitivity Level 1MOSFET Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)Maximum Rat

Другие MOSFET... MCQ4953 , MCQ6005 , MCS2305B , MCT04N10 , MCT04N15 , MCT04P06 , MCT06P10 , MCU05N60A , IRF1010E , MCU12P10 , MCU18N20 , MCU18P10 , MCU20N06 , MCU20N06A , MCU20N06B , MCU20N15 , MCU20P10 .

History: BLM08N06-E | TK35A65W5

 

 
Back to Top

 


 
.