Справочник MOSFET. STP36N06

 

STP36N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STP36N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
   trⓘ - Время нарастания: 280 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для STP36N06

 

 

STP36N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  st
 stp36n06.pdf

STP36N06 STP36N06

STP36N06STP36N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N06 60 V

 0.1. Size:401K  st
 stp36n06l.pdf

STP36N06 STP36N06

STP36N06LSTP36N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N05L 60 V

 7.1. Size:396K  st
 stp36n05l.pdf

STP36N06 STP36N06

STP36N05LSTP36N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N05L 50 V

 7.2. Size:204K  st
 stp36n05.pdf

STP36N06 STP36N06

STP36N05LSTP36N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP36N05L 50 V

Другие MOSFET... STP32N05L , STP32N05LFI , STP32N06L , STP32N06LFI , STP33N10 , STP33N10FI , STP36N05L , STP36N05LFI , 8205A , STP36N06FI , STP36N06L , STP36N06LFI , STP38N06 , STP3N100 , STP3N100FI , STP3N100XI , STP3N50XI .

 

 
Back to Top