SI1012 - аналоги и даташиты транзистора

 

SI1012 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI1012
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: SOT523
 

 Аналог (замена) для SI1012

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1012 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:869K  mcc
 si1012.pdf pdf_icon

SI1012

SI1012Features Low Threshold ESD Protected Gate Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 N-CHANNEL Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"MOSFET Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)Maximum Ratings Operating Junction Temperature Range : -55C to

 0.1. Size:154K  vishay
 si1012cr.pdf pdf_icon

SI1012

Si1012CRVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET: 1.2 V RatedVDS (V) RDS(on) () ID (mA) Qg (Typ.) 100 % Rg Tested0.396 at VGS = 4.5 V 600 Gate-Source ESD Protected: 1000 V Material categorization:0.456 at VGS = 2.5 V 500For definitions of compliance please see20 0.750.546 at VGS = 1.8 V 350www.vis

 0.2. Size:175K  vishay
 si1012r-x.pdf pdf_icon

SI1012

Si1012R/XVishay SiliconixN-Channel 1.8 V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (mA)Definition0.70 at VGS = 4.5 V 600 TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated Gate-Source ESD Protected: 2000 V0.85 at VGS = 2.5 V 20 500 High-Side Switching1.25 at VGS = 1.8 V 350 Low On-Resistance: 0.7

 0.3. Size:230K  vishay
 si1012r si1012x.pdf pdf_icon

SI1012

Si1012R, Si1012XVishay SiliconixN-Channel 1.8 V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V RatedVDS (V) RDS(on) ()ID (mA) Gate-Source ESD Protected: 2000 V0.70 at VGS = 4.5 V 600 High-Side Switching0.85 at VGS = 2.5 V Low On-Resistance: 0.7 20 500 Low Threshold: 0.8 V (typ.)1.25 at VGS = 1.8 V 350 Fast Switc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MCU20N06B , MCU20N15 , MCU20P10 , MCU40N10 , MCU60N04A , MCU80N06A , MSJAC11N65Y , MSJU11N65 , IRF1010E , SI2101 , SI2310A , SI2310B , SI2312B , SI2324A , SI3134KDW , SI3134KL3 , SI3139KE .

History: 2N65N | 8N50 | S-LP3407LT1G | PIP8205-Z6 | SSZ65R041SFD2 | RRS130N03 | IRF8736TR

 

 
Back to Top

 


 
.