SI2101 - описание и поиск аналогов

 

SI2101. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI2101

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.29 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT323

Аналог (замена) для SI2101

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI2101 даташит

 ..1. Size:1059K  mcc
 si2101.pdf pdf_icon

SI2101

SI2101 Features Leading Trench Technology for Low RDS(on) High Speed Switching Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 P-CHANNEL Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" MOSFET Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) Maximum Ratings Operating Junction

Другие MOSFET... MCU20N15 , MCU20P10 , MCU40N10 , MCU60N04A , MCU80N06A , MSJAC11N65Y , MSJU11N65 , SI1012 , IRFB3607 , SI2310A , SI2310B , SI2312B , SI2324A , SI3134KDW , SI3134KL3 , SI3139KE , SI3139KL3 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.