SI2101 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SI2101
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.29 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: SOT323
Аналог (замена) для SI2101
SI2101 Datasheet (PDF)
si2101.pdf

SI2101Features Leading Trench Technology for Low RDS(on) High Speed Switching Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 P-CHANNEL Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"MOSFET Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)Maximum Ratings Operating Junction
Другие MOSFET... MCU20N15 , MCU20P10 , MCU40N10 , MCU60N04A , MCU80N06A , MSJAC11N65Y , MSJU11N65 , SI1012 , AON7506 , SI2310A , SI2310B , SI2312B , SI2324A , SI3134KDW , SI3134KL3 , SI3139KE , SI3139KL3 .
History: BSZ130N03LSG | 2SK3306 | WMM53N60C4
History: BSZ130N03LSG | 2SK3306 | WMM53N60C4



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627