SIL3724 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SIL3724
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6L
Аналог (замена) для SIL3724
SIL3724 Datasheet (PDF)
sil3724.pdf

SIL3724Features High Density Cell Design for Low RDS(on) Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1Dual Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"N&P-Channel Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)MOSFETMaximum Ratings Operating Junction Temperature Rang
Другие MOSFET... SIL2300 , SIL2301 , SIL2308 , SIL2322A , SIL2623 , SIL3400A , SIL3415 , SIL3439K , 7N60 , P1025HDB , P1825HDB , PA910BD , PK501BA , PK537BA , PK650DY , PKCH2BB , BSS123LT1G .
History: 24N50 | RSJ550N10 | FQD5N15TF | GT52N10T | 2N4221 | FQA13N50CF109 | IPP050N06NG
History: 24N50 | RSJ550N10 | FQD5N15TF | GT52N10T | 2N4221 | FQA13N50CF109 | IPP050N06NG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540