FCB125N65S3 - описание и поиск аналогов

 

FCB125N65S3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCB125N65S3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 181 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для FCB125N65S3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCB125N65S3 даташит

 ..1. Size:326K  onsemi
 fcb125n65s3.pdf pdf_icon

FCB125N65S3

MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 650 V, 24 A, 125 mW FCB125N65S3 Description SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high www.onsemi.com voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate VDSS RDS(ON) MAX ID MAX charge performance. This advanced technology is tailored

Другие MOSFET... EFC2K107NUZ , EFC3C001NUZ , EFC4C002NL , EFC4K105NUZ , EFC4K110NUZ , EFC8811R , FCB070N65S3 , FCB099N65S3 , 60N06 , FCB260N65S3 , FCD360N65S3R0 , FCD600N65S3R0 , FCH023N65S3 , FCH041N65F-F085 , FCH072N60F-F085 , FCH077N65F-F085 , FCH104N60F-F085 .

History: SNN4010D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.