Справочник MOSFET. FCB125N65S3

 

FCB125N65S3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCB125N65S3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 181 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для FCB125N65S3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCB125N65S3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:326K  onsemi
 fcb125n65s3.pdf pdf_icon

FCB125N65S3

MOSFET Power, N-Channel,SUPERFET III, Easy Drive650 V, 24 A, 125 mWFCB125N65S3DescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highwww.onsemi.comvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology is tailored

Другие MOSFET... EFC2K107NUZ , EFC3C001NUZ , EFC4C002NL , EFC4K105NUZ , EFC4K110NUZ , EFC8811R , FCB070N65S3 , FCB099N65S3 , AO4468 , FCB260N65S3 , FCD360N65S3R0 , FCD600N65S3R0 , FCH023N65S3 , FCH041N65F-F085 , FCH072N60F-F085 , FCH077N65F-F085 , FCH104N60F-F085 .

History: SFF50N30Z | AP60WN1K2IN

 

 
Back to Top

 


 
.