FCH125N65S3R0 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FCH125N65S3R0
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 181 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 24 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 46 nC
Время нарастания (tr): 19 ns
Выходная емкость (Cd): 40 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.125 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для FCH125N65S3R0
FCH125N65S3R0 Datasheet (PDF)
..1. Size:437K onsemi
fch125n65s3r0.pdf
fch125n65s3r0.pdf
FCH125N65S3R0MOSFET Power, N-Channel,SUPERFET III, Easy Drive650 V, 24 A, 125 mWDescriptionwww.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology is tailor
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
