FCP125N65S3R0 - описание и поиск аналогов

 

FCP125N65S3R0. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCP125N65S3R0

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 181 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FCP125N65S3R0

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCP125N65S3R0 даташит

 ..1. Size:385K  onsemi
fcp125n65s3r0.pdfpdf_icon

FCP125N65S3R0

FCP125N65S3R0 MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET) III, Easy Drive 650 V, 24 A, 125 mW Description www.onsemi.com SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate VDSS RDS(ON) MAX ID MAX charge performance. This advanced technology is tailo

 3.1. Size:378K  onsemi
fcp125n65s3.pdfpdf_icon

FCP125N65S3R0

FCP125N65S3 MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 650 V, 24 A, 125 mW Description www.onsemi.com SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge VDSS RDS(ON) MAX ID MAX balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate 650 V 125 mW @ 10 V 24 A charge performance. This advanc

 3.2. Size:259K  inchange semiconductor
fcp125n65s3.pdfpdf_icon

FCP125N65S3R0

isc N-Channel MOSFET Transistor FCP125N65S3 FEATURES Drain Source Voltage- V = 650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 125m (Max) DS(on) Fast Switching 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies DC-DC Converters AC and DC Mot

 4.1. Size:245K  inchange semiconductor
fcp125n65s.pdfpdf_icon

FCP125N65S3R0

isc N-Channel MOSFET Transistor FCP125N65S FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 2.3m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Be suitable for synchronous rectification for server and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие MOSFET... FCH125N65S3R0 , FCHD040N65S3 , FCHD125N65S3R0 , FCHD190N65S3R0 , FCMT099N65S3 , FCMT125N65S3 , FCMT180N65S3 , FCMT250N65S3 , IRFB4110 , FCP165N65S3 , FCP165N65S3R0 , FCP190N60_GF102 , FCP190N65S3R0 , FCP220N80 , FCP360N65S3R0 , FCP400N80Z , FCP600N65S3R0 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.