FCU360N65S3R0 - описание и поиск аналогов

 

FCU360N65S3R0. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCU360N65S3R0

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для FCU360N65S3R0

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCU360N65S3R0 даташит

 ..1. Size:357K  onsemi
 fcu360n65s3r0.pdf pdf_icon

FCU360N65S3R0

FCU360N65S3R0 MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 650 V, 10 A, 360 mW Description www.onsemi.com SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate VDSS RDS(ON) MAX ID MAX charge performance. This advanced technology is tailor

Другие MOSFET... FCPF190N65S3L1 , FCPF190N65S3R0L , FCPF250N65S3R0L , FCPF360N65S3R0L , FCPF36N60NT , FCPF380N60_F152 , FCPF600N60ZL1 , FCPF600N65S3R0L , 2N7002 , FCU600N65S3R0 , FDB0105N407L , FDB0165N807L , FDB0170N607L , FDB0190N807L , FDB0260N1007L , FDB0300N1007L , FDB045AN08A0-F085 .

History: ASDM40N80Q | U105D | AP30T10GI | JMPL0648PKQ | SK2300A | R6004JNX

 

 

 

 

↑ Back to Top
.