FDB0165N807L - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

FDB0165N807L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: FDB0165N807L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 310 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 217 nC
   trⓘ - Время нарастания: 104 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK-7L

Аналог (замена) для FDB0165N807L

FDB0165N807L Datasheet (PDF)

..1. Size:403K onsemi
fdb0165n807l.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

8.1. Size:1422K fairchild semi
fdb016n04al7.pdf

December 2010FDB016N04AL7 N-Channel PowerTrench MOSFET40V, 306A, 1.6mWFeatures Description RDS(on) = 1.16mW ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 80A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon-ductors adcanced PowerTrench process that has been espe- Fast Switching Speedcially tailored to minimize the on-state resistance and yet Low Gate Chargemaintain superio

8.2. Size:1060K onsemi
fdb016n04al7.pdf