Справочник MOSFET. STP3N80XI

 

STP3N80XI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP3N80XI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT221
 

 Аналог (замена) для STP3N80XI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP3N80XI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:290K  st
stp3n80xi.pdfpdf_icon

STP3N80XI

 7.1. Size:113K  st
stp3n80.pdfpdf_icon

STP3N80XI

STP3NB80STP3NB80FP N - CHANNEL 800V - 4.6 - 2.6A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NB80 800 V

 7.2. Size:1589K  st
std3n80k5 stf3n80k5 stp3n80k5 stu3n80k5.pdfpdf_icon

STP3N80XI

STD3N80K5, STF3N80K5, STP3N80K5, STU3N80K5N-channel 800 V, 2.8 typ., 2.5 A Zener-protected SuperMESH 5Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDS RDS(on)max ID PTOT31STD3N80K5 60 WDPAKSTF3N80K5 20 W3800 V 3.5 2.5 A21TABSTP3N80K560 WTO-220FPSTU3N80K5TAB TO-220 worldwide bes

 9.1. Size:417K  st
stf3nk100z std3nk100z stp3nk100z.pdfpdf_icon

STP3N80XI

STF3NK100Z - STD3NK100ZSTP3NK100ZN-channel 1000V - 5.4 - 2.5A - TO-220 - TO-220FP - DPAKZener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesRDS(on) VDSS ID PTOTTypeMaxSTF3NK100Z 1000V

Другие MOSFET... STP36N06LFI , STP38N06 , STP3N100 , STP3N100FI , STP3N100XI , STP3N50XI , STP3N60FI , STP3N60XI , IRF1405 , STP3N90 , STP3N90FI , STP3NA50FI , STP3NA80 , STP3NA80FI , STP40N05 , STP40N05FI , STP40N10 .

 

 
Back to Top

 


 
.