FDBL86063-F085 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FDBL86063-F085  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 240 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm

Тип корпуса: MO-299A

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FDBL86063-F085

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDBL86063-F085 даташит

 ..1. Size:684K  onsemi
 fdbl86063-f085.pdf pdf_icon

FDBL86063-F085

FDBL86063-F085 N-Channel Power Trench MOSFET 100 V, 240 A, 2.6 m Features Typical RDS(on) = 2 m at VGS = 10V, ID = 80 A Typical Qg(tot) = 73 nC at VGS = 10V, ID = 80 A UIS Capability RoHS Compliant Qualified to AEC Q101 Applications Automotive Engine Control Powertrain Management Solenoid and Motor Drivers Electronic Steering Integr

 5.1. Size:462K  onsemi
 fdbl86063.pdf pdf_icon

FDBL86063-F085

MOSFET - POWERTRENCH), N-Channel 100 V, 240 A, 2.6 mW FDBL86063 Features Typical RDS(on) = 2 mW at VGS = 10 V, ID = 80 A www.onsemi.com Typical Qg(tot) = 73 nC at VGS = 10 V, ID = 80 A UIS Capability This Device is Pb-Free and is RoHS Compliant Typical Applications Industrial Battery Switch Primary Switch for 12 V Systems H-PSOF8L 11.68x9.80 CASE 100CU MAR

 6.1. Size:280K  onsemi
 fdbl86066-f085.pdf pdf_icon

FDBL86063-F085

FDBL86066-F085 N Channel POWERTRENCH) MOSFET 100 V, 240 A, 4.1 mW Features www.onsemi.com Typical RDS(on) = 3.3 mW at VGS = 10 V, ID = 80 A Typical Qg(tot) = 47 nC at VGS = 10 V, ID = 80 A UIS Capability VDSS RDS(ON) MAX ID MAX Qualified to AEC Q101 100 V 4.1 mW @ 10 V 240 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant D Application

 6.2. Size:501K  onsemi
 fdbl86062-f085.pdf pdf_icon

FDBL86063-F085

FDBL86062-F085 N-Channel POWERTRENCH) MOSFET 100 V, 300 A, 2.0 mW www.onsemi.com Features Typical RDS(on) = 1.5 mW at VGS = 10 V, ID = 80 A D Typical Qg(tot) = 95 nC at VGS = 10 V, ID = 80 A UIS Capability Qualified to AEC Q101 G This Device is Pb-Free and is RoHS Compliant Applications S Automotive Engine Control PowerTrain Management Solenoid a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FDB9503L-F085, FDB9506L-F085, FDB9509L-F085, FDBL0200N100, FDBL0240N100, FDBL0260N100, FDBL86062-F085, FDBL86063, IRF530, FDBL86066-F085, FDBL86210-F085, FDBL86361-F085, FDBL86363-F085, FDBL86366-F085, FDBL86561-F085, FDBL86563-F085, FDBL86566-F085