Справочник MOSFET. FDD86580-F085

 

FDD86580-F085 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDD86580-F085
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для FDD86580-F085

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD86580-F085 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:426K  onsemi
fdd86580-f085.pdfpdf_icon

FDD86580-F085

FDD86580-F085N-Channel PowerTrench MOSFET 60 V, 50 A, 10 mFeatures Typical RDS(on) = 7.8 m at VGS = 10V, ID = 50 AD Typical Qg(tot) = 20 nC at VGS = 10V, ID = 50 A UIS Capability RoHS CompliantDG Qualified to AEC Q101GApplicationsSD-PAK Automotive Engine ControlTO-252S(TO-252) PowerTrain Management Solenoid and Motor Drivers Electronic Steering

 7.1. Size:2426K  onsemi
fdd86581-f085.pdfpdf_icon

FDD86580-F085

FDD86581-F085N-Channel PowerTrench MOSFET60 V, 25 A, 15 mFeatures Typical RDS(on) = 12.3 m at VGS = 10V, ID = 25 A Typical Qg(tot) = 12.6 nC at VGS = 10V, ID = 25 AD UIS Capability RoHS Compliant Qualified to AEC Q101DGApplicationsG Automotive Engine ControlSD-PAK Powertrain ManagementTO-252S(TO-252) Solenoid and Motor Drivers Electronic Steeri

 8.1. Size:241K  fairchild semi
fdd86540.pdfpdf_icon

FDD86580-F085

February 2012FDD86540N-Channel PowerTrench MOSFET 60 V, 50 A, 4.1 mFeatures General DescriptionThis N-Channel MOSFET has been designed specifically to Max rDS(on) = 4.1 m at VGS = 10 V, ID = 21.5 Aimprove the overall efficiency and to minimize switch node Max rDS(on) = 5 m at VGS = 8 V, ID = 19.5 Aringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional

 8.2. Size:449K  onsemi
fdd86567-f085.pdfpdf_icon

FDD86580-F085

FDD86567-F085N-Channel PowerTrench MOSFET 60 V, 100 A, 3.2 mFeatures Typical RDS(on) = 2.6 m at VGS = 10V, ID = 80 AD Typical Qg(tot) = 63 nC at VGS = 10V, ID = 80 A UIS Capability RoHS CompliantD Qualified to AEC Q101 GGApplicationsS Automotive Engine Control D-PAKTO-252S(TO-252) PowerTrain Management Solenoid and Motor Drivers Integrated Start

Другие MOSFET... FDD86250_F085 , FDD86367 , FDD86367-F085 , FDD86369 , FDD86369-F085 , FDD86380-F085 , FDD86567-F085 , FDD86569-F085 , 10N60 , FDD86581-F085 , FDD8896-F085 , FDD9407-F085 , FDD9407L-F085 , FDD9409L-F085 , FDD9410-F085 , FDD9410L-F085 , FDD9411-F085 .

History: MTH8N90 | KP8N65D | UTT25P10L | LPM9031QVF

 

 
Back to Top

 


 
.