Справочник MOSFET. STP40N10

 

STP40N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP40N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STP40N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:336K  st
stp40n10 stp40n10fi.pdfpdf_icon

STP40N10

 8.1. Size:108K  st
stp40n03l-20.pdfpdf_icon

STP40N10

STP40N03L-20N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE"ULTRA HIGH DENSITY" POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP40N03L-20 30 V

 8.2. Size:239K  st
stp40nf10l.pdfpdf_icon

STP40N10

STP40NF10LN-channel 100V - 0.028 - 40A TO-220Low gate charge STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP40NF10L 100V

 8.3. Size:440K  st
sti40n65m2 stp40n65m2.pdfpdf_icon

STP40N10

STI40N65M2, STP40N65M2 N-channel 650 V, 0.087 typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK and TO-220 packages Datasheet - production data Features TAB TABOrder code V R max. I DS DS(on) DSTI40N65M2 650 V 0.099 32 A STP40N65M2 3 Extremely low gate charge 232 1 Excellent output capacitance (COSS) profile 1IPAK TO-220 100% avalanche tested

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NCE035P40GU | IXFT17N80Q | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | SWF12N65D

 

 
Back to Top

 


 
.