Справочник MOSFET. BUK6D125-60E

 

BUK6D125-60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK6D125-60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: SOT1220
 

 Аналог (замена) для BUK6D125-60E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK6D125-60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  nxp
 buk6d125-60e.pdf pdf_icon

BUK6D125-60E

BUK6D125-60E60 V, N-channel Trench MOSFET29 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6(SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Side wettable flanks for optical solder ins

 7.1. Size:317K  nxp
 buk6d120-60p.pdf pdf_icon

BUK6D125-60E

BUK6D120-60P60 V, P-channel Trench MOSFET3 April 2018 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 Side wettable flanks for optical s

 7.2. Size:283K  nxp
 buk6d120-40e.pdf pdf_icon

BUK6D125-60E

BUK6D120-40E40 V, N-channel Trench MOSFET29 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6(SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Side wettable flanks for optical solder ins

 9.1. Size:494K  nxp
 buk6d210-60e.pdf pdf_icon

BUK6D125-60E

BUK6D210-60E60 V, N-channel Trench MOSFET17 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6(SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Side wettable flanks for optical solder ins

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FDMC8010DC , FDMD8530 , FDMD8540L , FDMD8560L , 2N7002NXAK , 2N7002NXBK , BUK6D120-40E , BUK6D120-60P , 2SK3568 , BUK6D210-60E , BUK6D22-30E , BUK6D230-80E , BUK6D23-40E , BUK6D38-30E , BUK6D385-100E , BUK6D43-40P , BUK6D43-60E .

History: 2SK2777 | SM9998DSQG | 2SK4019

 

 
Back to Top

 


 
.