STP40N10FI - описание и поиск аналогов

 

STP40N10FI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP40N10FI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT220

Аналог (замена) для STP40N10FI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP40N10FI даташит

 ..1. Size:336K  st
stp40n10 stp40n10fi.pdfpdf_icon

STP40N10FI

 8.1. Size:108K  st
stp40n03l-20.pdfpdf_icon

STP40N10FI

STP40N03L-20 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE "ULTRA HIGH DENSITY" POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP40N03L-20 30 V

 8.2. Size:239K  st
stp40nf10l.pdfpdf_icon

STP40N10FI

STP40NF10L N-channel 100V - 0.028 - 40A TO-220 Low gate charge STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP40NF10L 100V

 8.3. Size:440K  st
sti40n65m2 stp40n65m2.pdfpdf_icon

STP40N10FI

STI40N65M2, STP40N65M2 N-channel 650 V, 0.087 typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in I PAK and TO-220 packages Datasheet - production data Features TAB TAB Order code V R max. I DS DS(on) D STI40N65M2 650 V 0.099 32 A STP40N65M2 3 Extremely low gate charge 2 3 2 1 Excellent output capacitance (COSS) profile 1 I PAK TO-220 100% avalanche tested

Другие MOSFET... STP3N90 , STP3N90FI , STP3NA50FI , STP3NA80 , STP3NA80FI , STP40N05 , STP40N05FI , STP40N10 , AOD4184A , STP4N100 , STP4N100FI , STP4N100XI , STP4N40 , STP4N40FI , STP4N80XI , STP4N90 , STP4N90FI .

History: SSS4N80AS

 

 

 


 
↑ Back to Top
.