BUK6D230-80E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK6D230-80E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: SOT1220

Аналог (замена) для BUK6D230-80E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK6D230-80E даташит

 ..1. Size:280K  nxp
 buk6d230-80e.pdf pdf_icon

BUK6D230-80E

BUK6D230-80E 80 V, N-channel Trench MOSFET 29 April 2019 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Side wettable flanks for optical solder ins

 7.1. Size:284K  nxp
 buk6d23-40e.pdf pdf_icon

BUK6D230-80E

BUK6D23-40E 40 V, N-channel Trench MOSFET 13 December 2017 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Side wettable flanks for optical solder i

 8.1. Size:494K  nxp
 buk6d210-60e.pdf pdf_icon

BUK6D230-80E

BUK6D210-60E 60 V, N-channel Trench MOSFET 17 April 2019 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Side wettable flanks for optical solder ins

 8.2. Size:280K  nxp
 buk6d22-30e.pdf pdf_icon

BUK6D230-80E

BUK6D22-30E 30 V, N-channel Trench MOSFET 10 April 2019 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Side wettable flanks for optical solder insp

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FDMD8560L, 2N7002NXAK, 2N7002NXBK, BUK6D120-40E, BUK6D120-60P, BUK6D125-60E, BUK6D210-60E, BUK6D22-30E, K4145, BUK6D23-40E, BUK6D38-30E, BUK6D385-100E, BUK6D43-40P, BUK6D43-60E, BUK6D56-60E, BUK6D72-30E, BUK6D77-60E