Справочник MOSFET. STP4NA60

 

STP4NA60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP4NA60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для STP4NA60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP4NA60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:405K  st
 stp4na60.pdf pdf_icon

STP4NA60

STP4NA60STP4NA60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NA60 600 V

 0.1. Size:96K  st
 stp4na60fp.pdf pdf_icon

STP4NA60

STP4NA60FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP4NA60FP 600 V

 8.1. Size:383K  st
 stp4na80.pdf pdf_icon

STP4NA60

STP4NA80STP4NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NA80 800 V

 8.2. Size:239K  st
 stp4na90 stp4na90fi.pdf pdf_icon

STP4NA60

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP4N100 , STP4N100FI , STP4N100XI , STP4N40 , STP4N40FI , STP4N80XI , STP4N90 , STP4N90FI , IRF840 , STP4NA60FI , STP4NA80 , STP4NA80FI , STP50N05L , STP50N05LFI , STP50N06 , STP50N06FI , STP50N06L .

 

 
Back to Top

 


 
.