Справочник MOSFET. STP4NA60

 

STP4NA60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP4NA60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STP4NA60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:405K  st
stp4na60.pdfpdf_icon

STP4NA60

STP4NA60STP4NA60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NA60 600 V

 0.1. Size:96K  st
stp4na60fp.pdfpdf_icon

STP4NA60

STP4NA60FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP4NA60FP 600 V

 8.1. Size:383K  st
stp4na80.pdfpdf_icon

STP4NA60

STP4NA80STP4NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NA80 800 V

 8.2. Size:239K  st
stp4na90 stp4na90fi.pdfpdf_icon

STP4NA60

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SIE868DF | QM0008J | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | FIR20N65FG

 

 
Back to Top

 


 
.