Справочник MOSFET. STP4NA60FI

 

STP4NA60FI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP4NA60FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STP4NA60FI Datasheet (PDF)

 5.1. Size:96K  st
 stp4na60fp.pdf pdf_icon

STP4NA60FI

STP4NA60FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP4NA60FP 600 V

 6.1. Size:405K  st
 stp4na60.pdf pdf_icon

STP4NA60FI

STP4NA60STP4NA60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NA60 600 V

 8.1. Size:383K  st
 stp4na80.pdf pdf_icon

STP4NA60FI

STP4NA80STP4NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NA80 800 V

 8.2. Size:239K  st
 stp4na90 stp4na90fi.pdf pdf_icon

STP4NA60FI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP4N100FI , STP4N100XI , STP4N40 , STP4N40FI , STP4N80XI , STP4N90 , STP4N90FI , STP4NA60 , IRF840 , STP4NA80 , STP4NA80FI , STP50N05L , STP50N05LFI , STP50N06 , STP50N06FI , STP50N06L , STP50N06LFI .

History: IXFR36N50P | TPH4R008NH | NCE2301A | KP809D | FDD9407-F085 | PJS6403 | STD10NM60N

 

 
Back to Top

 


 
.