Справочник MOSFET. NX3020NAKV

 

NX3020NAKV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NX3020NAKV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2.6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT666

 Аналог (замена) для NX3020NAKV

 

 

NX3020NAKV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:702K  nxp
 nx3020nakv.pdf

NX3020NAKV NX3020NAKV

NX3020NAKV30 V, 200 mA dual N-channel Trench MOSFET29 October 2013 Product data sheet1. General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a ultra small and flatlead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology ESD protection

 5.1. Size:712K  nxp
 nx3020nakw.pdf

NX3020NAKV NX3020NAKV

NX3020NAKW30 V, 180 mA N-channel Trench MOSFET29 October 2013 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology ESD protection Low threshold voltag

 5.2. Size:249K  nxp
 nx3020nak.pdf

NX3020NAKV NX3020NAKV

NX3020NAK30 V, single N-channel Trench MOSFET29 October 2013 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology ESD protection Low threshold volt

 5.3. Size:715K  nxp
 nx3020naks.pdf

NX3020NAKV NX3020NAKV

NX3020NAKS30 V, 180 mA dual N-channel Trench MOSFET11 November 2013 Product data sheet1. General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363(SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology ESD protection Low

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top