PMCM6501UNE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PMCM6501UNE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.556 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
Тип корпуса: WLCSP6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
PMCM6501UNE Datasheet (PDF)
pmcm6501une.pdf

PMCM6501UNE20 V, N-channel Trench MOSFET30 May 2017 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 6 bumps Wafer Level Chip-SizePackage (WLCSP) using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Ultra small package: 0.98 1.48 0.35 mm Trench MOSFET technology ElectroStatic Disc
pmcm6501upe.pdf

PMCM6501UPE20 V, P-channel Trench MOSFET3 July 2017 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 6 bumps Wafer Level Chip-SizePackage (WLCSP) using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Ultra small package: 0.98 x 1.48 x 0.35 mm Trench MOSFET technology ElectroStatic Discha
pmcm6501vne.pdf

PMCM6501VNE12 V, N-channel Trench MOSFET26 August 2015 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 6 bumps Wafer LevelChip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Ultra small package: 0.98 1.48 0.35 mm Trench MOSFET technology ElectroStatic D
pmcm6501vpe.pdf

PMCM6501VPE12 V, P-channel Trench MOSFET10 August 2015 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 6 bumps Wafer LevelChip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Ultra small package: 0.98 1.48 0.35 mm Trench MOSFET technology ElectroStatic D
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: WMP11N80M3 | IRHI7360SE | AO4840 | FMP13N60ES | YJD15N10A | WSD2098 | NTMFS5C628NL
History: WMP11N80M3 | IRHI7360SE | AO4840 | FMP13N60ES | YJD15N10A | WSD2098 | NTMFS5C628NL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor