PMF250XNE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMF250XNE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.275 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.254 Ohm

Тип корпуса: SOT323

Аналог (замена) для PMF250XNE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMF250XNE даташит

 ..1. Size:714K  nxp
 pmf250xne.pdf pdf_icon

PMF250XNE

PMF250XNE 30V N-channel Trench MOSFET 28 April 2016 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Disch

 6.1. Size:870K  nxp
 pmf250xn.pdf pdf_icon

PMF250XNE

PMF250XN 30 V, 0.9 A N-channel Trench MOSFET Rev. 1 7 December 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fas

Другие IGBT... PMCM650CUNE, PMCM950ENE, PMCXB1000UE, PMCXB900UEL, PMDPB56XNEA, PMDPB95XNE2, PMDXB600UNEL, PMDXB950UPEL, IRF520, PMF63UNE, PMH1200UPE, PMH950UPE, PMN120ENE, PMN120ENEA, PMN16XNE, PMN20ENA, PMN230ENE