Справочник MOSFET. PMN120ENE

 

PMN120ENE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PMN120ENE
   Маркировка: 3K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.7 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.123 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6

 Аналог (замена) для PMN120ENE

 

 

PMN120ENE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  nxp
 pmn120ene.pdf

PMN120ENE PMN120ENE

PMN120ENE60 V, N-channel Trench MOSFET14 December 2017 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching ElectroStatic Disc

 0.1. Size:272K  nxp
 pmn120enea.pdf

PMN120ENE PMN120ENE

PMN120ENEA60 V, N-channel Trench MOSFET29 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top