PMN120ENE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMN120ENE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.57 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.123 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для PMN120ENE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN120ENE даташит

 ..1. Size:265K  nxp
 pmn120ene.pdf pdf_icon

PMN120ENE

PMN120ENE 60 V, N-channel Trench MOSFET 14 December 2017 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching ElectroStatic Disc

 0.1. Size:272K  nxp
 pmn120enea.pdf pdf_icon

PMN120ENE

PMN120ENEA 60 V, N-channel Trench MOSFET 29 April 2019 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology

Другие IGBT... PMDPB56XNEA, PMDPB95XNE2, PMDXB600UNEL, PMDXB950UPEL, PMF250XNE, PMF63UNE, PMH1200UPE, PMH950UPE, 2N60, PMN120ENEA, PMN16XNE, PMN20ENA, PMN230ENE, PMN230ENEA, PMN25ENE, PMN25ENEA, PMN280ENEA