Справочник MOSFET. PMN120ENE

 

PMN120ENE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMN120ENE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.123 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для PMN120ENE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN120ENE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  nxp
 pmn120ene.pdf pdf_icon

PMN120ENE

PMN120ENE60 V, N-channel Trench MOSFET14 December 2017 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching ElectroStatic Disc

 0.1. Size:272K  nxp
 pmn120enea.pdf pdf_icon

PMN120ENE

PMN120ENEA60 V, N-channel Trench MOSFET29 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology

Другие MOSFET... PMDPB56XNEA , PMDPB95XNE2 , PMDXB600UNEL , PMDXB950UPEL , PMF250XNE , PMF63UNE , PMH1200UPE , PMH950UPE , IRF830 , PMN120ENEA , PMN16XNE , PMN20ENA , PMN230ENE , PMN230ENEA , PMN25ENE , PMN25ENEA , PMN280ENEA .

History: CEF12N6 | SVS80R430FJHE3 | IRF6648 | 2SK187 | NCE60N700I | SSM6L40TU | YJQ40G10A

 

 
Back to Top

 


 
.