PMN16XNE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMN16XNE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 137 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для PMN16XNE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN16XNE даташит

 ..1. Size:730K  nxp
 pmn16xne.pdf pdf_icon

PMN16XNE

PMN16XNE 20 V, N-channel Trench MOSFET 29 January 2016 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Enhanced power dissipa

Другие IGBT... PMDXB600UNEL, PMDXB950UPEL, PMF250XNE, PMF63UNE, PMH1200UPE, PMH950UPE, PMN120ENE, PMN120ENEA, P60NF06, PMN20ENA, PMN230ENE, PMN230ENEA, PMN25ENE, PMN25ENEA, PMN280ENEA, PMN28UNE, PMN30ENEA