PMN16XNE - аналоги и даташиты транзистора

 

PMN16XNE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PMN16XNE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 137 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для PMN16XNE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN16XNE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:730K  nxp
 pmn16xne.pdf pdf_icon

PMN16XNE

PMN16XNE20 V, N-channel Trench MOSFET29 January 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Enhanced power dissipa

Другие MOSFET... PMDXB600UNEL , PMDXB950UPEL , PMF250XNE , PMF63UNE , PMH1200UPE , PMH950UPE , PMN120ENE , PMN120ENEA , AO3401 , PMN20ENA , PMN230ENE , PMN230ENEA , PMN25ENE , PMN25ENEA , PMN280ENEA , PMN28UNE , PMN30ENEA .

History: AP73T03AGMT-HF | UTT120N04 | OSG60R190FT3ZF | QM0007G

 

 
Back to Top

 


 
.