PMN20ENA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMN20ENA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.652 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 101 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для PMN20ENA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN20ENA даташит

 ..1. Size:289K  nxp
 pmn20ena.pdf pdf_icon

PMN20ENA

PMN20ENA 40 V, N-channel Trench MOSFET 30 April 2019 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology AE

Другие IGBT... PMDXB950UPEL, PMF250XNE, PMF63UNE, PMH1200UPE, PMH950UPE, PMN120ENE, PMN120ENEA, PMN16XNE, 75N75, PMN230ENE, PMN230ENEA, PMN25ENE, PMN25ENEA, PMN280ENEA, PMN28UNE, PMN30ENEA, PMN30UN