PMN25ENE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PMN25ENE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.56 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
Аналог (замена) для PMN25ENE
PMN25ENE Datasheet (PDF)
pmn25ene.pdf
PMN25ENE30 V, N-channel Trench MOSFET16 April 2018 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching ElectroStatic Discharg
pmn25enea.pdf
PMN25ENEA30 V, N-channel Trench MOSFET14 March 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology E
Другие MOSFET... PMH1200UPE , PMH950UPE , PMN120ENE , PMN120ENEA , PMN16XNE , PMN20ENA , PMN230ENE , PMN230ENEA , STP65NF06 , PMN25ENEA , PMN280ENEA , PMN28UNE , PMN30ENEA , PMN30UN , PMN30UNE , PMN30XP , PMN30XPE .
History: PMN280ENEA | TPC8045-H
History: PMN280ENEA | TPC8045-H
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979



