Справочник MOSFET. PMN25ENE

 

PMN25ENE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMN25ENE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для PMN25ENE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN25ENE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  nxp
 pmn25ene.pdf pdf_icon

PMN25ENE

PMN25ENE30 V, N-channel Trench MOSFET16 April 2018 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching ElectroStatic Discharg

 0.1. Size:260K  nxp
 pmn25enea.pdf pdf_icon

PMN25ENE

PMN25ENEA30 V, N-channel Trench MOSFET14 March 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology E

Другие MOSFET... PMH1200UPE , PMH950UPE , PMN120ENE , PMN120ENEA , PMN16XNE , PMN20ENA , PMN230ENE , PMN230ENEA , IRFZ48N , PMN25ENEA , PMN280ENEA , PMN28UNE , PMN30ENEA , PMN30UN , PMN30UNE , PMN30XP , PMN30XPE .

History: SSM3J35CT | 2SK3481 | AM30N03-40D | IPB029N06N3G | FMR23N50ES | AP9962AGJ-HF | AFN4996

 

 
Back to Top

 


 
.