PMN25ENEA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMN25ENEA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.667 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для PMN25ENEA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN25ENEA даташит

 ..1. Size:260K  nxp
 pmn25enea.pdf pdf_icon

PMN25ENEA

PMN25ENEA 30 V, N-channel Trench MOSFET 14 March 2019 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology E

 6.1. Size:260K  nxp
 pmn25ene.pdf pdf_icon

PMN25ENEA

PMN25ENE 30 V, N-channel Trench MOSFET 16 April 2018 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching ElectroStatic Discharg

Другие IGBT... PMH950UPE, PMN120ENE, PMN120ENEA, PMN16XNE, PMN20ENA, PMN230ENE, PMN230ENEA, PMN25ENE, IRF1405, PMN280ENEA, PMN28UNE, PMN30ENEA, PMN30UN, PMN30UNE, PMN30XP, PMN30XPE, PMN40ENA