Справочник MOSFET. PMN25ENEA

 

PMN25ENEA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMN25ENEA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.667 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для PMN25ENEA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN25ENEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  nxp
 pmn25enea.pdf pdf_icon

PMN25ENEA

PMN25ENEA30 V, N-channel Trench MOSFET14 March 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology E

 6.1. Size:260K  nxp
 pmn25ene.pdf pdf_icon

PMN25ENEA

PMN25ENE30 V, N-channel Trench MOSFET16 April 2018 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching ElectroStatic Discharg

Другие MOSFET... PMH950UPE , PMN120ENE , PMN120ENEA , PMN16XNE , PMN20ENA , PMN230ENE , PMN230ENEA , PMN25ENE , NCEP15T14 , PMN280ENEA , PMN28UNE , PMN30ENEA , PMN30UN , PMN30UNE , PMN30XP , PMN30XPE , PMN40ENA .

History: HCU7NE70S | 2SK1165 | PE642DT | VBA2309 | 2SK1601 | GT1003A | IPA60R750E6

 

 
Back to Top

 


 
.