PMN280ENEA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMN280ENEA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.667 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.385 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для PMN280ENEA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN280ENEA даташит

 ..1. Size:260K  nxp
 pmn280enea.pdf pdf_icon

PMN280ENEA

PMN280ENEA 100 V, N-channel Trench MOSFET 11 April 2019 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology

 9.1. Size:278K  nxp
 pmn28une.pdf pdf_icon

PMN280ENEA

PMN28UNE 20 V, N-channel Trench MOSFET 16 April 2018 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching ElectroStatic Discharge

Другие IGBT... PMN120ENE, PMN120ENEA, PMN16XNE, PMN20ENA, PMN230ENE, PMN230ENEA, PMN25ENE, PMN25ENEA, 7N60, PMN28UNE, PMN30ENEA, PMN30UN, PMN30UNE, PMN30XP, PMN30XPE, PMN40ENA, PMN40ENE