Справочник MOSFET. PMN280ENEA

 

PMN280ENEA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMN280ENEA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.667 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.385 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для PMN280ENEA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN280ENEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  nxp
 pmn280enea.pdf pdf_icon

PMN280ENEA

PMN280ENEA100 V, N-channel Trench MOSFET11 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology

 9.1. Size:278K  nxp
 pmn28une.pdf pdf_icon

PMN280ENEA

PMN28UNE20 V, N-channel Trench MOSFET16 April 2018 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching ElectroStatic Discharge

Другие MOSFET... PMN120ENE , PMN120ENEA , PMN16XNE , PMN20ENA , PMN230ENE , PMN230ENEA , PMN25ENE , PMN25ENEA , MMIS60R580P , PMN28UNE , PMN30ENEA , PMN30UN , PMN30UNE , PMN30XP , PMN30XPE , PMN40ENA , PMN40ENE .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.