PMN28UNE - аналоги и даташиты транзистора

 

PMN28UNE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PMN28UNE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для PMN28UNE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN28UNE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  nxp
 pmn28une.pdf pdf_icon

PMN28UNE

PMN28UNE20 V, N-channel Trench MOSFET16 April 2018 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching ElectroStatic Discharge

 9.1. Size:260K  nxp
 pmn280enea.pdf pdf_icon

PMN28UNE

PMN280ENEA100 V, N-channel Trench MOSFET11 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology

Другие MOSFET... PMN120ENEA , PMN16XNE , PMN20ENA , PMN230ENE , PMN230ENEA , PMN25ENE , PMN25ENEA , PMN280ENEA , RU7088R , PMN30ENEA , PMN30UN , PMN30UNE , PMN30XP , PMN30XPE , PMN40ENA , PMN40ENE , PMN48XPA .

History: RJK03E6DPA | LSGC10R080W3 | LSGC03R020 | AFC4539WS

 

 
Back to Top

 


 
.