PMN28UNE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMN28UNE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.57 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для PMN28UNE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN28UNE даташит

 ..1. Size:278K  nxp
 pmn28une.pdf pdf_icon

PMN28UNE

PMN28UNE 20 V, N-channel Trench MOSFET 16 April 2018 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching ElectroStatic Discharge

 9.1. Size:260K  nxp
 pmn280enea.pdf pdf_icon

PMN28UNE

PMN280ENEA 100 V, N-channel Trench MOSFET 11 April 2019 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology

Другие IGBT... PMN120ENEA, PMN16XNE, PMN20ENA, PMN230ENE, PMN230ENEA, PMN25ENE, PMN25ENEA, PMN280ENEA, IRFZ48N, PMN30ENEA, PMN30UN, PMN30UNE, PMN30XP, PMN30XPE, PMN40ENA, PMN40ENE, PMN48XPA