Справочник MOSFET. PMN30XP

 

PMN30XP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMN30XP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для PMN30XP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN30XP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:731K  nxp
 pmn30xp.pdf pdf_icon

PMN30XP

PMN30XP20 V, P-channel Trench MOSFET23 February 2016 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Enhanced power dissipation capability of 1400 m

 0.1. Size:255K  nxp
 pmn30xpe.pdf pdf_icon

PMN30XP

PMN30XPE20 V, P-channel Trench MOSFET16 April 2018 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HB

 9.1. Size:726K  nxp
 pmn30une.pdf pdf_icon

PMN30XP

PMN30UNE20 V, N-channel Trench MOSFET29 January 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Enhanced power dissipa

 9.2. Size:258K  nxp
 pmn30enea.pdf pdf_icon

PMN30XP

PMN30ENEA40 V N-channel Trench MOSFET2 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology Ele

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PMN230ENEA , PMN25ENE , PMN25ENEA , PMN280ENEA , PMN28UNE , PMN30ENEA , PMN30UN , PMN30UNE , AON7403 , PMN30XPE , PMN40ENA , PMN40ENE , PMN48XPA , PMN50EPE , PMN52XP , PMN55ENE , PMN55ENEA .

History: DMN66D0LT | IXTK120N25P | STD100N03LT4 | SSM6P15FU | STW75N60M6 | HGP059N08A | SWN7N65K2

 

 
Back to Top

 


 
.