Справочник MOSFET. PMN48XPA

 

PMN48XPA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMN48XPA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.53 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN48XPA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  nxp
 pmn48xpa.pdf pdf_icon

PMN48XPA

PMN48XPA20 V, P-channel Trench MOSFET17 May 2019 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Trench MOSFET technology Very fast switching AEC-Q101 qualified3. A

 7.1. Size:1109K  nxp
 pmn48xp.pdf pdf_icon

PMN48XPA

PMN48XP20 V, 4.1 A P-channel Trench MOSFETRev. 1 21 April 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low RDSon Trench MOSFET technology Very fast switching1.

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FQD5N15TF | SIHG47N60S | IXFK48N50Q | HGI110N08AL | 2SK3430-S | SWF7N65K2 | 9N95

 

 
Back to Top

 


 
.