PMN48XPA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMN48XPA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.53 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для PMN48XPA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN48XPA даташит

 ..1. Size:261K  nxp
 pmn48xpa.pdf pdf_icon

PMN48XPA

PMN48XPA 20 V, P-channel Trench MOSFET 17 May 2019 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Trench MOSFET technology Very fast switching AEC-Q101 qualified 3. A

 7.1. Size:1109K  nxp
 pmn48xp.pdf pdf_icon

PMN48XPA

PMN48XP 20 V, 4.1 A P-channel Trench MOSFET Rev. 1 21 April 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Low RDSon Trench MOSFET technology Very fast switching 1.

Другие IGBT... PMN28UNE, PMN30ENEA, PMN30UN, PMN30UNE, PMN30XP, PMN30XPE, PMN40ENA, PMN40ENE, EMB04N03H, PMN50EPE, PMN52XP, PMN55ENE, PMN55ENEA, PMN70EPE, PMN70XP, PMPB100ENE, PMPB100XPEA