PMN48XPA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PMN48XPA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.53 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
Аналог (замена) для PMN48XPA
PMN48XPA Datasheet (PDF)
pmn48xpa.pdf

PMN48XPA20 V, P-channel Trench MOSFET17 May 2019 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Trench MOSFET technology Very fast switching AEC-Q101 qualified3. A
pmn48xp.pdf

PMN48XP20 V, 4.1 A P-channel Trench MOSFETRev. 1 21 April 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low RDSon Trench MOSFET technology Very fast switching1.
Другие MOSFET... PMN28UNE , PMN30ENEA , PMN30UN , PMN30UNE , PMN30XP , PMN30XPE , PMN40ENA , PMN40ENE , 2SK3918 , PMN50EPE , PMN52XP , PMN55ENE , PMN55ENEA , PMN70EPE , PMN70XP , PMPB100ENE , PMPB100XPEA .
History: 8N80G-TF1-T | 7NM70L-TMS2-T | CSD87501L | AM2343PE | AP6N6R5P
History: 8N80G-TF1-T | 7NM70L-TMS2-T | CSD87501L | AM2343PE | AP6N6R5P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754