Справочник MOSFET. PMN55ENE

 

PMN55ENE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMN55ENE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для PMN55ENE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN55ENE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  nxp
 pmn55ene.pdf pdf_icon

PMN55ENE

PMN55ENE60 V, N-channel Trench MOSFET14 December 2017 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching ElectroStatic Disch

 0.1. Size:265K  nxp
 pmn55enea.pdf pdf_icon

PMN55ENE

PMN55ENEA60 V, N-channel Trench MOSFET26 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology E

Другие MOSFET... PMN30UNE , PMN30XP , PMN30XPE , PMN40ENA , PMN40ENE , PMN48XPA , PMN50EPE , PMN52XP , HY1906P , PMN55ENEA , PMN70EPE , PMN70XP , PMPB100ENE , PMPB100XPEA , PMPB10EN , PMPB10UP , PMPB10XNEA .

History: SSM3K03FE | AP4575GM-HF | AP4455GYT | CM8N80F | AFP3407AS | CTD03N003

 

 
Back to Top

 


 
.