PMN70EPE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMN70EPE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.57 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для PMN70EPE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN70EPE даташит

 ..1. Size:265K  nxp
 pmn70epe.pdf pdf_icon

PMN70EPE

PMN70EPE 30 V, P-channel Trench MOSFET 23 May 2017 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching Enhanced power dissipati

 9.1. Size:201K  nxp
 pmn70xpe.pdf pdf_icon

PMN70EPE

 9.2. Size:276K  nxp
 pmn70xpea.pdf pdf_icon

PMN70EPE

 9.3. Size:735K  nxp
 pmn70xp.pdf pdf_icon

PMN70EPE

PMN70XP 20 V, P-channel Trench MOSFET 29 January 2016 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Enhanced power dissipat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMN30XPE, PMN40ENA, PMN40ENE, PMN48XPA, PMN50EPE, PMN52XP, PMN55ENE, PMN55ENEA, 60N06, PMN70XP, PMPB100ENE, PMPB100XPEA, PMPB10EN, PMPB10UP, PMPB10XNEA, PMPB12UNE, PMPB12UNEA