Справочник MOSFET. PMPB12UNE

 

PMPB12UNE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMPB12UNE
   Маркировка: 2Y
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 10.9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: SOT1220
 

 Аналог (замена) для PMPB12UNE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMPB12UNE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:742K  nxp
 pmpb12une.pdf pdf_icon

PMPB12UNE

PMPB12UNE20 V, N-channel Trench MOSFET12 April 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Exposed drain pad for ex

 0.1. Size:290K  nxp
 pmpb12unea.pdf pdf_icon

PMPB12UNE

PMPB12UNEA20 V, N-channel Trench MOSFET26 March 2018 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Side wettable flanks fo

 6.1. Size:231K  nxp
 pmpb12un.pdf pdf_icon

PMPB12UNE

PMPB12UN20 V single N-channel Trench MOSFET6 July 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Trench MOSFET technology Very fast switching S

 9.1. Size:321K  nxp
 pmpb100xpea.pdf pdf_icon

PMPB12UNE

PMPB100XPEA20 V, P-channel Trench MOSFET13 November 2019 Product data sheet1. General DescriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Small and leadless ultra thin S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PMN55ENEA , PMN70EPE , PMN70XP , PMPB100ENE , PMPB100XPEA , PMPB10EN , PMPB10UP , PMPB10XNEA , IRF840 , PMPB12UNEA , PMPB13UP , PMPB13XNEA , PMPB14XP , PMPB15XPA , PMPB16EP , PMPB20XNEA , PMPB20XPEA .

History: AP9565AGH-HF | DMC1229UFDB | DMP57D5UFB | DMT3008LFDF

 

 
Back to Top

 


 
.