Справочник MOSFET. PMPB24EP

 

PMPB24EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMPB24EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 121 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOT1220
 

 Аналог (замена) для PMPB24EP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMPB24EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  nxp
pmpb24ep.pdfpdf_icon

PMPB24EP

PMPB24EP30 V, P-channel Trench MOSFET22 October 2018 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Trench MOSFET technology Side wettable flanks f

 9.1. Size:247K  nxp
pmpb23xne.pdfpdf_icon

PMPB24EP

PMPB23XNE20 V, single N-channel Trench MOSFET30 November 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.1.2 Features and benefits 2.1 kV ESD protection Small and leadless ult

 9.2. Size:732K  nxp
pmpb20xnea.pdfpdf_icon

PMPB24EP

PMPB20XNEA20 V, N-channel Trench MOSFET22 February 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology

 9.3. Size:295K  nxp
pmpb20xpea.pdfpdf_icon

PMPB24EP

PMPB20XPEA20 V, P-channel Trench MOSFET27 March 2018 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Side wettable flanks fo

Другие MOSFET... PMPB13UP , PMPB13XNEA , PMPB14XP , PMPB15XPA , PMPB16EP , PMPB20XNEA , PMPB20XPEA , PMPB23XNEA , IRF640N , PMPB25ENE , PMPB27EPA , PMPB29XNEA , PMPB29XPEA , PMPB30XPE , PMPB43XPEA , PMPB48EPA , PMPB50ENE .

History: BUK127-50GT | STL51N3LLH5 | P1850EF | PMN34UN | DMN67D8LW | IXTM7N45 | BRCS120N06SYM

 

 
Back to Top

 


 
.