Справочник MOSFET. PMPB25ENE

 

PMPB25ENE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMPB25ENE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 113 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: SOT1220
 

 Аналог (замена) для PMPB25ENE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMPB25ENE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:294K  nxp
 pmpb25ene.pdf pdf_icon

PMPB25ENE

PMPB25ENE30 V, N-channel Trench MOSFET26 April 2018 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Small and leadless ultra thin SMD pl

 9.1. Size:247K  nxp
 pmpb23xne.pdf pdf_icon

PMPB25ENE

PMPB23XNE20 V, single N-channel Trench MOSFET30 November 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.1.2 Features and benefits 2.1 kV ESD protection Small and leadless ult

 9.2. Size:732K  nxp
 pmpb20xnea.pdf pdf_icon

PMPB25ENE

PMPB20XNEA20 V, N-channel Trench MOSFET22 February 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology

 9.3. Size:295K  nxp
 pmpb20xpea.pdf pdf_icon

PMPB25ENE

PMPB20XPEA20 V, P-channel Trench MOSFET27 March 2018 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Side wettable flanks fo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PMPB13XNEA , PMPB14XP , PMPB15XPA , PMPB16EP , PMPB20XNEA , PMPB20XPEA , PMPB23XNEA , PMPB24EP , IRF630 , PMPB27EPA , PMPB29XNEA , PMPB29XPEA , PMPB30XPE , PMPB43XPEA , PMPB48EPA , PMPB50ENE , PMPB55ENEA .

History: 2SK2544 | NVMTS0D7N04CL | BSC205N10LSG | AP9970GK | 2SK2606 | BL8N60-A | AP65SL130AR

 

 
Back to Top

 


 
.