PMPB43XPEA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PMPB43XPEA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 142 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm

Тип корпуса: SOT1220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PMPB43XPEA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMPB43XPEA даташит

 ..1. Size:280K  nxp
 pmpb43xpea.pdf pdf_icon

PMPB43XPEA

PMPB43XPEA 20 V, P-channel Trench MOSFET 27 March 2018 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Side wettable flanks fo

 5.1. Size:256K  nxp
 pmpb43xpe.pdf pdf_icon

PMPB43XPEA

PMPB43XPE 20 V, single P-channel Trench MOSFET 26 November 2014 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits 1 kV ESD protected Small and leadless ultra thin SMD plastic packa

 9.1. Size:280K  nxp
 pmpb48epa.pdf pdf_icon

PMPB43XPEA

PMPB48EPA 30 V, P-channel Trench MOSFET 27 March 2018 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Side wettable flanks for optical solder inspection

 9.2. Size:235K  nxp
 pmpb48ep.pdf pdf_icon

PMPB43XPEA

PMPB48EP 30 V, single P-channel Trench MOSFET 10 September 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Trench MOSFET technology Small and leadless

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMPB20XPEA, PMPB23XNEA, PMPB24EP, PMPB25ENE, PMPB27EPA, PMPB29XNEA, PMPB29XPEA, PMPB30XPE, 10N60, PMPB48EPA, PMPB50ENE, PMPB55ENEA, PMPB55XNEA, PMPB8XN, PMT200EPE, PMT280ENEA, PMT560ENEA