STP50N06LFI - описание и поиск аналогов

 

STP50N06LFI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP50N06LFI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 550 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT220

Аналог (замена) для STP50N06LFI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP50N06LFI даташит

 5.1. Size:397K  st
 stp50n06l.pdf pdf_icon

STP50N06LFI

STP50N06L STP50N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP50N06L 60 V

 5.2. Size:404K  st
 stp50n06l-fi.pdf pdf_icon

STP50N06LFI

STP50N06L STP50N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP50N06L 60 V

 6.1. Size:201K  st
 stp50n06-.pdf pdf_icon

STP50N06LFI

STP50N06 STP50N06FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP50N06 60 V

 6.2. Size:396K  st
 stp50n06.pdf pdf_icon

STP50N06LFI

STP50N06 STP50N06FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP50N06 60 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP4NA60FI , STP4NA80 , STP4NA80FI , STP50N05L , STP50N05LFI , STP50N06 , STP50N06FI , STP50N06L , IRLZ44N , STP53N05 , STP53N06 , STP55N05L , STP55N05LFI , STP55N06L , STP55N06LFI , STP5N25L , STP5N25LFI .

History: FDB86102LZ

 

 

 


 
↑ Back to Top
.