Справочник MOSFET. STP50N06LFI

 

STP50N06LFI MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STP50N06LFI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 15 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 27 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 42 nC
   Время нарастания (tr): 550 ns
   Выходная емкость (Cd): 660 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.056 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220

 Аналог (замена) для STP50N06LFI

 

 

STP50N06LFI Datasheet (PDF)

 5.1. Size:397K  st
 stp50n06l.pdf

STP50N06LFI STP50N06LFI

STP50N06LSTP50N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50N06L 60 V

 5.2. Size:404K  st
 stp50n06l-fi.pdf

STP50N06LFI STP50N06LFI

STP50N06LSTP50N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50N06L 60 V

 6.1. Size:201K  st
 stp50n06-.pdf

STP50N06LFI STP50N06LFI

STP50N06STP50N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP50N06 60 V

 6.2. Size:396K  st
 stp50n06.pdf

STP50N06LFI STP50N06LFI

STP50N06STP50N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50N06 60 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STP55N06LFI

 

 
Back to Top