PMV100ENEA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PMV100ENEA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.46 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PMV100ENEA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV100ENEA даташит

 ..1. Size:717K  nxp
 pmv100enea.pdf pdf_icon

PMV100ENEA

PMV100ENEA 30 V, N-channel Trench MOSFET 17 March 2016 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Disc

 8.1. Size:265K  nxp
 pmv100xpea.pdf pdf_icon

PMV100ENEA

PMV100XPEA 20 V, P-channel Trench MOSFET 15 June 2017 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Dischar

Другие IGBT... PMPB48EPA, PMPB50ENE, PMPB55ENEA, PMPB55XNEA, PMPB8XN, PMT200EPE, PMT280ENEA, PMT560ENEA, IRF9540, PMV100XPEA, PMV15ENEA, PMV15UNEA, PMV164ENEA, PMV19XNEA, PMV20XNEA, PMV230ENEA, PMV25ENEA