PMV15UNEA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PMV15UNEA
Маркировка: *GN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.61 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.9 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 11 nC
Время нарастания (tr): 24 ns
Выходная емкость (Cd): 124 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.019 Ohm
Тип корпуса: SOT23
PMV15UNEA Datasheet (PDF)
pmv15unea.pdf
PMV15UNEA20 V, N-channel Trench MOSFET6 September 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology
pmv15enea.pdf
PMV15ENEA30 V, N-channel Trench MOSFET16 May 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology El
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
