Справочник MOSFET. PMV20XNEA

 

PMV20XNEA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PMV20XNEA
   Маркировка: DT*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 178 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для PMV20XNEA

 

 

PMV20XNEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:719K  nxp
 pmv20xnea.pdf

PMV20XNEA PMV20XNEA

PMV20XNEA20 V, N-channel Trench MOSFET9 March 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Dischar

 6.1. Size:250K  nxp
 pmv20xne.pdf

PMV20XNEA PMV20XNEA

PMV20XNE30 V, N-channel Trench MOSFET10 November 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Enhanced power dissipation capability of 12

 7.1. Size:332K  tysemi
 pmv20xn.pdf

PMV20XNEA PMV20XNEA

Product specificationPMV20XN30 V, 4.8 A N-channel Trench MOSFETRev. 1 5 April 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET t

 9.1. Size:308K  nxp
 pmv20en.pdf

PMV20XNEA PMV20XNEA

PMV20EN30 V, N-channel Trench MOSFET5 June 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology Enhanced power dissipat

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top