PMV27UPEA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PMV27UPEA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.49 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
Тип корпуса: SOT23
PMV27UPEA Datasheet (PDF)
pmv27upea.pdf
PMV27UPEA 20 V, P-channel Trench MOSFET 30 October 2015 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Enhanced power dis
pmv27upe.pdf
PMV27UPE 20 V, P-channel Trench MOSFET 15 May 2014 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Enhanced power dissipat
Другие MOSFET... PMV100XPEA , PMV15ENEA , PMV15UNEA , PMV164ENEA , PMV19XNEA , PMV20XNEA , PMV230ENEA , PMV25ENEA , K3569 , PMV280ENEA , PMV28ENEA , PMV28UNEA , PMV30ENEA , PMV30XPA , PMV30XPEA , PMV35EPE , PMV37ENEA .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73



