Справочник MOSFET. STP53N06

 

STP53N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP53N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STP53N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  st
 stp53n06.pdf pdf_icon

STP53N06

 7.1. Size:306K  st
 stp53n05.pdf pdf_icon

STP53N06

 7.2. Size:77K  st
 stp53n08.pdf pdf_icon

STP53N06

STP53N08N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP53N08 80 V

 9.1. Size:165K  st
 2stp535fp.pdf pdf_icon

STP53N06

2STP535FPNPN power Darlington transistorFeatures Monolithic Darlington transistor with integrated antiparallel collector-emitter diode Very high DC current gainApplications3 Electronic ignition21 AC-DC motor controlTO-220FP Alternator regulatorDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThe 2STP535FP is a planar NPN power transistor in monolit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP4NA80FI , STP50N05L , STP50N05LFI , STP50N06 , STP50N06FI , STP50N06L , STP50N06LFI , STP53N05 , 10N60 , STP55N05L , STP55N05LFI , STP55N06L , STP55N06LFI , STP5N25L , STP5N25LFI , STP5N30 , STP5N30FI .

History: RUS100N02 | AP9435GJ-HF | 2SJ377 | NP32N055SHE | CEP06N7 | IPB023N04N | HY050N08B

 

 
Back to Top

 


 
.