PMV30XPA - аналоги и даташиты транзистора

 

PMV30XPA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PMV30XPA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.61 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для PMV30XPA

 

PMV30XPA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:280K  nxp
 pmv30xpa.pdf pdf_icon

PMV30XPA

PMV30XPA 20 V, P-channel Trench MOSFET 28 April 2020 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology Ve

 7.1. Size:716K  nxp
 pmv30xpea.pdf pdf_icon

PMV30XPA

PMV30XPEA 20 V, P-channel Trench MOSFET 30 October 2015 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very fast switching Enhanced power dissipation capability Ptot =

 8.1. Size:311K  tysemi
 pmv30xn.pdf pdf_icon

PMV30XPA

Product specification PMV30XN 20 V, 3.2 A N-channel Trench MOSFET Rev. 1 22 June 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET t

 9.1. Size:238K  philips
 pmv30un.pdf pdf_icon

PMV30XPA

PMV30UN TrenchMOS ultra low level FET Rev. 01 25 June 2003 Product data M3D088 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PMV30UN in SOT23. 1.2 Features Surface mount package Fast switching. 1.3 Applications Battery management High-speed switches. 1.4 Qui

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PMV20XNEA , PMV230ENEA , PMV25ENEA , PMV27UPEA , PMV280ENEA , PMV28ENEA , PMV28UNEA , PMV30ENEA , K4145 , PMV30XPEA , PMV35EPE , PMV37ENEA , PMV42ENE , PMV450ENEA , PMV48XPA2 , PMV52ENEA , PMV55ENEA .

 

 
Back to Top

 


 
.