PMV37ENEA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PMV37ENEA
Маркировка: HS*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.71 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.7 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 8.8 nC
Время нарастания (tr): 7 ns
Выходная емкость (Cd): 49 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.049 Ohm
Тип корпуса: SOT23
PMV37ENEA Datasheet (PDF)
pmv37enea.pdf
PMV37ENEA60 V, N-channel Trench MOSFET21 May 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology El
pmv37en2.pdf
PMV37EN230 V, N-channel Trench MOSFET3 June 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology Enhanced power dissipa
pmv37en.pdf
Product specificationPMV37EN30 V, 3.1 A N-channel Trench MOSFETRev. 1 9 May 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible Trench MOSFET te
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
