Справочник MOSFET. PMV52ENEA

 

PMV52ENEA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMV52ENEA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для PMV52ENEA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV52ENEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:264K  nxp
 pmv52enea.pdf pdf_icon

PMV52ENEA

PMV52ENEA30 V, N-channel Trench MOSFET7 May 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology Ele

Другие MOSFET... PMV30ENEA , PMV30XPA , PMV30XPEA , PMV35EPE , PMV37ENEA , PMV42ENE , PMV450ENEA , PMV48XPA2 , IRLZ44N , PMV55ENEA , PMV60ENEA , PMV65ENEA , PMV74EPE , PMV88ENEA , PMV90ENE , PMZ600UNEL , PMZ950UPEL .

History: IPB260N06N3G | AP9440GYT-HF | SI4202DY

 

 
Back to Top

 


 
.