PMV52ENEA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PMV52ENEA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PMV52ENEA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV52ENEA даташит

 ..1. Size:264K  nxp
 pmv52enea.pdf pdf_icon

PMV52ENEA

PMV52ENEA 30 V, N-channel Trench MOSFET 7 May 2019 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology Ele

Другие IGBT... PMV30ENEA, PMV30XPA, PMV30XPEA, PMV35EPE, PMV37ENEA, PMV42ENE, PMV450ENEA, PMV48XPA2, AON6380, PMV55ENEA, PMV60ENEA, PMV65ENEA, PMV74EPE, PMV88ENEA, PMV90ENE, PMZ600UNEL, PMZ950UPEL