PMV55ENEA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PMV55ENEA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.478 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PMV55ENEA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV55ENEA даташит

 ..1. Size:731K  nxp
 pmv55enea.pdf pdf_icon

PMV55ENEA

PMV55ENEA 60 V, N-channel Trench MOSFET 21 March 2016 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Disch

Другие IGBT... PMV30XPA, PMV30XPEA, PMV35EPE, PMV37ENEA, PMV42ENE, PMV450ENEA, PMV48XPA2, PMV52ENEA, IRF530, PMV60ENEA, PMV65ENEA, PMV74EPE, PMV88ENEA, PMV90ENE, PMZ600UNEL, PMZ950UPEL, PMZB600UNEL