Справочник MOSFET. PMV55ENEA

 

PMV55ENEA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMV55ENEA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.478 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для PMV55ENEA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV55ENEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:731K  nxp
 pmv55enea.pdf pdf_icon

PMV55ENEA

PMV55ENEA60 V, N-channel Trench MOSFET21 March 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Disch

Другие MOSFET... PMV30XPA , PMV30XPEA , PMV35EPE , PMV37ENEA , PMV42ENE , PMV450ENEA , PMV48XPA2 , PMV52ENEA , AO4407 , PMV60ENEA , PMV65ENEA , PMV74EPE , PMV88ENEA , PMV90ENE , PMZ600UNEL , PMZ950UPEL , PMZB600UNEL .

History: BUK9535-100A | TSJ10N10AT | RTR040N03TL | BLF645 | NCE0224AF | ME60N04

 

 
Back to Top

 


 
.