PMV55ENEA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PMV55ENEA
Маркировка: DL*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.478 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.7 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12.7 nC
Время нарастания (tr): 13 ns
Выходная емкость (Cd): 49 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm
Тип корпуса: SOT23
PMV55ENEA Datasheet (PDF)
..1. Size:731K nxp
pmv55enea.pdf
pmv55enea.pdf
PMV55ENEA60 V, N-channel Trench MOSFET21 March 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Disch
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
