PMV65ENEA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PMV65ENEA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.49 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PMV65ENEA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV65ENEA даташит

 ..1. Size:715K  nxp
 pmv65enea.pdf pdf_icon

PMV65ENEA

PMV65ENEA 40 V, N-channel Trench MOSFET 28 April 2016 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology Electrostatic Disch

 9.1. Size:79K  philips
 pmv65xp.pdf pdf_icon

PMV65ENEA

PMV65XP P-channel TrenchMOS extremely low level FET Rev. 01 28 September 2004 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode field effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Low threshold voltage Low on-state resistance. 1.3 Applications Low power DC-to-DC converters Battery management Load sw

 9.2. Size:264K  nxp
 pmv65xp.pdf pdf_icon

PMV65ENEA

PMV65XP 20 V, single P-channel Trench MOSFET 12 February 2013 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Low on-state resistance Trench MOSFET technology 3. Applicati

 9.3. Size:238K  nxp
 pmv65xpea.pdf pdf_icon

PMV65ENEA

PMV65XPEA 20 V, P-channel Trench MOSFET 27 November 2014 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very fast switching Enhanced power dissipation capability Ptot

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMV35EPE, PMV37ENEA, PMV42ENE, PMV450ENEA, PMV48XPA2, PMV52ENEA, PMV55ENEA, PMV60ENEA, NCEP15T14, PMV74EPE, PMV88ENEA, PMV90ENE, PMZ600UNEL, PMZ950UPEL, PMZB600UNEL, PMZB950UPEL, PSMN010-80YL